該設備主要用於半導體芯片、集成電路芯片、探測器芯片、激光器芯片、金屬濺射薄膜壓敏芯片、紅外成像芯片、非制冷紅外熱成像芯片、氣體傳感器芯片、半導體電容式指紋辨識芯片、功率半導體器件、硅基輻射探測器的高真空低溫封裝工藝。
設備型號：TF300-100-HV-T10
額度溫度：300℃
工作溫度：RT-250℃
溫控精度：±1℃
加熱元件：紅外鹵素燈管（環形加熱）
加熱尺寸：100mm*400mm（Φ*L）
有效空間：90mm*250mm（Φ*L）
測溫元件：K型，共2只，1控溫，1監測
升溫速率： 10℃/Min
加熱功率：4.8Kw
真空配置：分子泵+無油幹泵（潔凈度高）
極限真空：3.0*10-4Pa（空爐、經凈化、室溫、充分脫氣）
工作真空：6.67*10-2Pa至6.67*10-3Pa
控制顯示：10英寸液晶觸摸屏