KRi 射頻離子源 RFICP 係列
上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 係列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 射頻源 RFICP 係列提供完整的係列, 包含離子源本體, 電子供應器, 中和器, 自動控制器等. 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.
射頻離子源 RFICP 係列技術參數:
型號
RFICP 40
RFICP 100
RFICP 140
RFICP 220
RFICP 380
Discharge 陽極
RF 射頻
RF 射頻
RF 射頻
RF 射頻
RF 射頻
離子束流
>100 mA
>350 mA
>600 mA
>800 mA
>1500 mA
離子動能
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
柵極直徑
4 cm Φ
10 cm Φ
14 cm Φ
20 cm Φ
30 cm Φ
離子束
聚焦, 平行, 散射
流量
3-10 sccm
5-30 sccm
5-30 sccm
10-40 sccm
15-50 sccm
通氣
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
長度
12.7 cm
23.5 cm
24.6 cm
30 cm
39 cm
直徑
13.5 cm
19.1 cm
24.6 cm
41 cm
59 cm
中和器
LFN 2000
射頻離子源 RFICP 係列應用:
離子輔助鍍膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )
離子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )
表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )
離子蝕刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)
離子濺鍍 IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)
上海伯東美國考夫曼 KRi 大口徑射頻離子源 RFICP 220, RFICP 380 成功應用於 12英寸和 8英寸離子束刻蝕機, 作為蝕刻機的核心部件, KRI 射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時間更長, 滿足材料刻蝕需求!
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
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上海伯東: 羅先生