美國 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 係列
美國 KRI 霍爾離子源 eH 係列緊湊設計, 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等級的細微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業, 半導體應用. 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設計提高吞吐量和覆蓋沉積區. 整體易操作, 易維護. 霍爾離子源 eH 提供一套完整的方案包含離子源, 電子中和器, 電源供應器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各類真空設備中, 例如鍍膜機, load lock, 濺射係統, 卷繞鍍膜機等.
美國 KRI 霍爾離子源 eH 特性
無柵極
高電流低能量
發散光束 >45
可快速更換陽極模塊
可選 Cathode / Neutralize 中和器
美國 KRI 霍爾離子源 eH 主要應用
輔助鍍膜 IBAD
濺鍍&蒸鍍 PC
表面改性、激活 SM
沉積 (DD)
離子蝕刻 LIBE
光學鍍膜
Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD)
Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)
例如
1. 離子輔助鍍膜及電子槍蒸鍍
2. 線上式磁控濺射及蒸鍍設備預清洗
3. 表面處理
4. 表面硬化層鍍膜
5. 磁控濺射輔助鍍膜
7. 偏壓離子束磁控濺射鍍膜
霍爾離子源 eH 係列在售型號:
型號
eH400
eH1000
eH2000
eH3000
eH Linear
中和器
F or HC
F or HC
F or HC
F or HC
F
陽極電壓
50-300 V
50-300 V
50-300 V
50-250 V
50-300 V
離子束流
5A
10A
10A
20A
根據實際應用
散射角度
>45
>45
>45
>45
>45
氣體流量
2-25 sccm
2-50 sccm
2-75 sccm
5-100 sccm
根據實際應用
本體高度
3.0“
4.0“
4.0“
6.0“
根據實際應用
直徑
3.7“
5.7“
5.7“
9.7“
根據實際應用
水冷
可選
可選
是
可選
根據實際應用
F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
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上海伯東: 羅先生