KRI 射頻離子源 RFICP 140
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 非常適用於離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中，射頻離子源 RFICP 140 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學元件能夠完成發散和聚集離子束的任務. 就標準的型號而言, 可以在離子能量為 100~1200 eV 範圍內獲得很高的離子密度. 可以輸出大 600 mA 離子流.
KRI 射頻離子源 RFICP 140 技術參數:
陽極
電感耦合等離子體
1kW & 1.8 MHz
射頻自動匹配
大陽極功率
1kW
大離子束流
> 500mA
電壓範圍
100-1200V
離子束動能
100-1200eV
氣體
Ar, O2, N2,其他
流量
5-40sccm
壓力
< 0.5mTorr
離子光學, 自對準
OptiBeamTM
離子束柵極
14cm Φ
柵極材質
鉬, 石墨
離子束流形狀
平行,聚焦,散射
中和器
LFN 2000
高度
25.1 cm
直徑
24.6 cm
鎖緊安裝法蘭
12”CF
KRI 射頻離子源 RFICP 140 應用領域：
預清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
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