上海伯東 KRI考夫曼離子源 KDC 75

所在地: 廣東省 深圳市
發布時間: 2023-07-09
詳細信息

KRI 考夫曼離子源 KDC 75
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 75:緊湊柵極離子源,離子束直徑 14 cm ,可安裝在 8“CF法蘭. 適用於中小型腔內, 考夫曼離子源 KDC 75 包含2個陰極燈絲, 其中一個作為備用,KDC 75 提供緊密聚焦的電子束特別適合濺射鍍膜. 標準配置下離子能量範圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 250 mA.
 

KRI 考夫曼離子源 KDC 75 技術參數

型號

KDC 75 / KDC 75L(低電流輸出)

供電

DC magnetic confinement

 - 陰極燈絲

2

 - 陽極電壓

0-100V DC

電子束

OptiBeam?

 - 柵極

, 自對準

 -柵極直徑

7.5 cm

中和器

燈絲

電源控制

KSC 1212 或 KSC 1202

配置

-

 - 陰極中和器

Filament, Sidewinder Filament  或LFN 2000

 - 安裝

移動或快速法蘭

 - 高度

7.9'

 - 直徑

5.5'

 - 離子束

聚焦
平行
散設

 -加工材料

金屬
電介質
半導體

 -工藝氣體

惰性
活性
混合

 -安裝距離

6-24”

 - 自動控制

控制4種氣體

* 可選: 一個陰極燈絲; 可調角度的支架

KRI 考夫曼離子源 KDC 75 應用領域
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE


客戶案例: 真空離子刻蝕機 IBE, 真空度 5E-10 torr, 係統配置
美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 75


若您需要進一步的了解考夫曼離子源, 請參考以下聯絡方式
上海伯東: 羅先生


聯係方式
返回展廳