KRI 考夫曼離子源 KDC 75
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 75:緊湊柵極離子源,離子束直徑 14 cm ,可安裝在 8“CF法蘭. 適用於中小型腔內, 考夫曼離子源 KDC 75 包含2個陰極燈絲, 其中一個作為備用,KDC 75 提供緊密聚焦的電子束特別適合濺射鍍膜. 標準配置下離子能量範圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 250 mA.
KRI 考夫曼離子源 KDC 75 技術參數
型號
KDC 75 / KDC 75L(低電流輸出)
供電
DC magnetic confinement
- 陰極燈絲
2
- 陽極電壓
0-100V DC
電子束
OptiBeam?
- 柵極
, 自對準
-柵極直徑
7.5 cm
中和器
燈絲
電源控制
KSC 1212 或 KSC 1202
配置
-
- 陰極中和器
Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000
- 安裝
移動或快速法蘭
- 高度
7.9'
- 直徑
5.5'
- 離子束
聚焦
平行
散設
-加工材料
金屬
電介質
半導體
-工藝氣體
惰性
活性
混合
-安裝距離
6-24”
- 自動控制
控制4種氣體
* 可選: 一個陰極燈絲; 可調角度的支架
KRI 考夫曼離子源 KDC 75 應用領域
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
客戶案例: 真空離子刻蝕機 IBE, 真空度 5E-10 torr, 係統配置
美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 75
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