KRI 離子源應用於金屬熱蒸鍍設備 Metal Thermal Evaporation System
熱蒸發是物理氣相沉積 PVD 中常用方法. 使用電加熱的蒸發源可用於沉積大多數的有機和無機薄膜, 其中以電阻式加熱法為常見. 這些蒸發源的優點為它們可以提供一種簡單的薄膜沉積方法, 以電流通過其容納材料的舟為方式, 從而加熱材料. 當沉積材料的蒸氣壓超過真空室的溫度時, 材料將開始蒸發並沉積到基板上並且在於熱蒸發時可以的控制蒸發速度, 且薄膜的厚度和均勻度小於 +/- 3％. 上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源可用於基板清潔和加速材料的蒸發速度, 並且離子源在材料沉積過程中可幫助沉積並使沉積後的薄膜更為致密.
----------- 金屬熱蒸鍍設備 Metal Thermal Evaporation System ----------
KRI 射頻離子源 RFICP 係列技術參數:
型號
RFICP 40
RFICP 100
RFICP 140
RFICP 220
RFICP 380
Discharge 陽極
RF 射頻
RF 射頻
RF 射頻
RF 射頻
RF 射頻
離子束流
>100 mA
>350 mA
>600 mA
>800 mA
>1500 mA
離子動能
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
柵極直徑
4 cm Φ
10 cm Φ
14 cm Φ
20 cm Φ
30 cm Φ
離子束
聚焦, 平行, 散射
流量
3-10 sccm
5-30 sccm
5-30 sccm
10-40 sccm
15-50 sccm
通氣
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
長度
12.7 cm
23.5 cm
24.6 cm
30 cm
39 cm
直徑
13.5 cm
19.1 cm
24.6 cm
41 cm
59 cm
中和器
LFN 2000
KRI 考夫曼離子源 KDC 技術參數:
型號
KDC 10
KDC 40
KDC 75
KDC 100
KDC 160
Discharge 陽極
DC 電流
DC 電流
DC 電流
DC 電流
DC 電流
離子束流
>10 mA
>100 mA
>250 mA
>400 mA
>650 mA
離子動能
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
柵極直徑
1 cm Φ
4 cm Φ
7.5 cm Φ
12 cm Φ
16 cm Φ
離子束
聚焦, 平行, 散射
流量
1-5 sccm
2-10 sccm
2-15 sccm
2-20 sccm
2-30 sccm
通氣
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
長度
11.5 cm
17.1 cm
20.1 cm
23.5 cm
25.2 cm
直徑
4 cm
9 cm
14 cm
19.4 cm
23.2 cm
中和器
燈絲
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上海伯東: 羅先生