考夫曼離子源創始人 Dr.Harold R.Kaufman
Kaufman 博士 1926年在美國出生, 1951年加入美國 NASA 路易斯研究中心, 60年代考夫曼博士發明了電子轟擊離子推進器並以他的名字命名(考夫曼推進器). 1969年美國航空航天學會 AIAA 授予他 James H. Wyld 推進獎, 1970年考夫曼推進器贏得了IR 100 (前身研發100獎), 1971年考夫曼博士獲得美國宇航局傑出服務獎.
2016年, 美國 NASA 宇航局將 Harold Kaufman 博士列入格倫研究中心名人堂
1978 年 Kaufman & Robinson, Inc 公司成立
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國科羅拉多州的柯林斯堡創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 簡稱 KRI, 研發生產商用寬束離子源和電源控制器. 為各地的高科技企業,真空係統設備商和研究機構提供的解決方案. 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
KRI 離子源主要產品
上海伯東美國 KRI 離子源是以真空為基礎的加工工具, 在原子水平上與材料相互作用, 適用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 等, KRI 提供無柵極離子源和柵極離子源, 類型包含考夫曼離子源, 霍爾離子源, 射頻離子源和電源控制器, 共計超過 25種規格, 累積銷售 3500+ 臺!
射頻離子源 RFICP 係列技術規格:
型號
RFICP 40
RFICP 100
RFICP 140
RFICP 220
RFICP 380
Discharge 陽極
RF 射頻
RF 射頻
RF 射頻
RF 射頻
RF 射頻
離子束流
>100 mA
>350 mA
>600 mA
>800 mA
>1500 mA
離子動能
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
柵極直徑
4 cm Φ
10 cm Φ
14 cm Φ
20 cm Φ
30 cm Φ
離子束
聚焦, 平行, 散射
流量
3-10 sccm
5-30 sccm
5-30 sccm
10-40 sccm
15-50 sccm
通氣
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
長度
12.7 cm
23.5 cm
24.6 cm
30 cm
39 cm
直徑
13.5 cm
19.1 cm
24.6 cm
41 cm
59 cm
中和器
LFN 2000
考夫曼離子源 KDC 係列技術規格:
型號
KDC 10
KDC 40
KDC 75
KDC 100
KDC 160
Discharge 陽極
DC 電流
DC 電流
DC 電流
DC 電流
DC 電流
離子束流
>10 mA
>100 mA
>250 mA
>400 mA
>650 mA
離子動能
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
柵極直徑
1 cm Φ
4 cm Φ
7.5 cm Φ
12 cm Φ
16 cm Φ
離子束
聚焦, 平行, 散射
流量
1-5 sccm
2-10 sccm
2-15 sccm
2-20 sccm
2-30 sccm
通氣
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
長度
11.5 cm
17.1 cm
20.1 cm
23.5 cm
25.2 cm
直徑
4 cm
9 cm
14 cm
19.4 cm
23.2 cm
中和器
燈絲
霍爾離子源 eH 係列技術規格:
型號
eH 400
eH 1000
eH1000 xO2
eH 2000
eH 3000
Cathode/Neutralizer
F or HC
F or HC
F or HC
F or HC
HC
HC
HC
陽極電壓
50-300V
30-150V
50-300V
30-150V
50-300V
100-300V
50-300V
30-150V
50-250V
50-250V
50-300V
50-250V
電流
5A
10A
10A
12A
5A
10A
10A
15A
15A
20A
10A
15A
散射角度
>45
>45
>45
>45
>45
氣體流量
2-25sccm
2-50sccm
2-50sccm
2-75sccm
5-100sccm
高度
3.0“
4.0“
4.0“
4.0“
6.0“
直徑
3.7“
5.7“
5.7“
5.7“
9.7“
水冷
可選
可選
可選
是
可選
KRI 離子源主要應用
作為一種新興的材料加工技術, 上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源憑借出色的技術性能, 協助您獲得理想的薄膜和材料表面性能. 美國 KRI 考夫曼離子源主要應用於真空環境下的離子束輔助沉積, 納米級的幹式蝕刻和表面改性.
離子清洗和輔助鍍膜: 霍爾離子源加裝於真空腔內, 對樣品進行預清洗和輔助鍍膜
離子清洗和濺射鍍膜: 射頻離子源加裝於真空腔內, 對樣品進行預清洗和濺射鍍膜
在高倍顯微鏡下檢視脫膜測試
測試結果
--------- 使用其他品牌離子源--- --------------------- 使用美國考夫曼 KRI RFICP 325 離子源 ----------------------
從上圖可以清楚看出, 使用其他品牌離子源, 樣品存在崩邊的問題; 使用上海伯東美國 KRI 離子源, 樣品無崩邊
多項專利
美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利, 在此領域中, KRI 離子源是公認的, KRI 團隊成員撰寫了超過 100篇文章, 出版物, 書籍和技術論文,為推進寬波束設備和材料加工領域行業的知識體係做出貢獻!
上海伯東是美國考夫曼離子源 Kaufman & Robinson, Inc 中國總代理. 美國考夫曼公司離子源已廣泛應用於離子濺射鍍膜 IBSD. 考夫曼離子源可控制離子的強度及濃度, 使濺射時靶材被轟擊出具有中和性材料分子而獲得高致密, 高質量之薄膜. 考夫曼離子源可依客戶濺射工藝條件選擇 RFICP 射頻電源式考夫曼離子源或是 KDC 直流電原式考夫曼離子源.
