KRI 離子源應用於有機材料熱蒸鍍設備 OLED, OPV
有機金屬熱沉積係統是一種熱蒸發的方式, 用於將有機或金屬材料沉積到基板表面上.該過程需要通過控制溫度和沉積速率來實現薄膜的和均勻性. 上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源可用於基板清潔和加速材料的蒸發速度, 並且 KRI 離子源在材料沉積過程中可幫助沉積並使沉積後的薄膜更為致密. 有機材料熱沉積係統使用高熱蒸發源作為加熱源, 並使用金屬, 石英, 陶瓷或 PBN 坩堝來容納有機材料以及 PID 控制器來控制其沉積速率. 該係統通常用於有機電子研究領域, 例如 OPV, OLED, OPD...
------ 有機材料熱蒸鍍設備 OLED, OPV -----
上海伯東美國 KRI 射頻離子源 RFICP 係列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 射頻源 RFICP 係列提供完整的套裝, 套裝包含離子源本體, 電子供應器, 中和器, 自動控制器等. 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.
射頻離子源 RFICP 係列技術參數:
型號
RFICP 40
RFICP 100
RFICP 140
RFICP 220
RFICP 380
Discharge 陽極
RF 射頻
RF 射頻
RF 射頻
RF 射頻
RF 射頻
離子束流
>100 mA
>350 mA
>600 mA
>800 mA
>1500 mA
離子動能
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
柵極直徑
4 cm Φ
10 cm Φ
14 cm Φ
20 cm Φ
30 cm Φ
離子束
聚焦, 平行, 散射
流量
3-10 sccm
5-30 sccm
5-30 sccm
10-40 sccm
15-50 sccm
通氣
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
長度
12.7 cm
23.5 cm
24.6 cm
30 cm
39 cm
直徑
13.5 cm
19.1 cm
24.6 cm
41 cm
59 cm
中和器
LFN 2000