半導體材料（semiconductor material）是一類具有半導體性能（導電能力介於導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm∼1GΩ·cm範圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光導纖維、電子工業的重要部件、光學儀器、工藝品和耐火材料的原料，是科學研究的重要材料。
本文主要介紹上海伯東KRI離子源在半導體材料SiO2中的預清洗及刻蝕應用。
SiO2預清洗的原因:
SiO2在刻蝕前需要將其表面的有機物、顆粒、金屬雜質、自然氧化層等去除，且不破壞晶體的表面特性。
KRI離子源在SiO2基片預清洗方法：
客戶自己搭建真空係統，集成離子源，具體做法如下。
1.將SiO2基片放進真空係統，調整離子源；
2.抽取真空到某真空度後，啟動離子源；
3.利用離子源釋放的能量對SiO2基片進行轟擊；
KRI離子源在SiO2材料預清洗客戶案例：
成都某工藝研究所，通過伯東購買離子源KDC40
KRI離子源優勢：
1.考夫曼離子源通過控制離子的強度及濃度, 使拋光刻蝕速率更快更準確, 拋光後的基材上獲得更平坦, 均勻性更高的薄膜表面。
2.KDC 考夫曼離子源內置型的設計更符合離子源於離子拋光機內部的移動運行。
3.不僅廣泛應用於生產單位, 且因離子抨擊能量強, 蝕刻效率快。
4.可因應多種基材特性,單次使用長久, 耗材成本極低, 操作簡易, 安裝簡易。
伯東公司是美國 KRI 考夫曼離子源中國總代理。
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