上海伯東某客戶在熱蒸發鍍膜機中配置美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40, 進行鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等.
離子源鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD
考夫曼離子源 KDC 40 中心到基片中心距離控制在 300mm, 離子源和基片都設計為高度可調節, 客戶可根據不同的工藝要求選擇合適的角度. 離子源上面做可聯動控制的蓋板, 在離子源剛啟動時關閉蓋板, 待離子束流穩定後打開蓋板, 對基片做預清潔和輔助鍍膜等工藝, 保證工藝的穩定性和均勻性. 當工藝完成後可以技術關閉蓋板, 保證離子源不被污染, 延長離子源使用壽命, 降低保養成本.
KRi 離子源鍍膜前基片預清潔 Pre-clean
去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附氣體, 碳氫化合物殘留
去除化學吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100?
KRi 離子源輔助鍍膜 IBAD
通過向生長的薄膜中添加能量來增強分子動力學, 以增加表面和原子/分子的流動性, 從而導致薄膜的致密化.
通過向生長薄膜中添加活性離子來增強薄膜化合物的化學轉化, 從而得到化學計量完整材料.
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 適用於所有的離子工藝, 例如預清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標準配置下離子能量範圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.
型號
KDC 40
供電
DC magnetic confinement
- 陰極燈絲
1
- 陽極電壓
0-100V DC
電子束
OptiBeam?
- 柵極
, 自對準
-柵極直徑
4 cm
中和器
燈絲
電源控制
KSC 1202
配置
-
- 陰極中和器
Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000
- 架構
移動或快速法蘭
- 高度
6.75'
- 直徑
3.5'
- 離子束
聚集, 平行, 散射
-加工材料
金屬, 電介質, 半導體
-工藝氣體
惰性, 活性, 混合
-安裝距離
6-18”
- 自動控制
控制4種氣體
* 可選: 可調角度的支架
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 係列, 通過加熱燈絲產生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強設計輸出低電流高能量寬束型離子束, 適用於標準和新興材料工藝. 在原子水平上工作的能力使 KDC 離子源能夠有效地設計具有納米精度的薄膜和表面. 無論是密度壓實, 應力控制, 光學傳輸, 電阻率, 光滑表面, 提高附著力, 垂直側壁和臨界蝕刻深度, KDC 離子源都能產生有益的材料性能. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.
上海伯東同時提供熱蒸鍍機所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發更高質量的設備.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域.
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