上海伯東美國 KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源 RFICP 380, RFICP 220 成功應用於 12英寸和 8英寸 IBE 離子束蝕刻機, 刻蝕均勻性（1 σ）達到< 1%. 可以用來刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導體, 絕緣體, 超導體等.
離子束刻蝕屬於幹法刻蝕, 其核心部件為大面積離子源. 作為蝕刻機的核心部件, KRi 射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時間更長, 滿足各種材料刻蝕需求! 氣體通入離子源的放電室中, 電離產生均勻的等離子體, 由離子源的柵極將正離子引出並加速, 然後由中和器進行中和. 利用引出的帶有動能的離子束流撞擊樣品表面, 通過物理濺射將材料去除, 進而獲得刻蝕圖形. 這一過程屬於純物理過程, 一般運行在較高的真空度下.
IBE 類型設備的優點主要是等離子體的產生遠離晶圓空間, 通過柵網拉出的離子束的能量和密度可以獨立控制; 其次 IBE 的晶圓載臺可以實現自轉, 並通過角度調整, 實現傾斜入射.
KRi 射頻離子源 RFICP 係列技術參數:
型號
RFICP 40
RFICP 100
RFICP 140
RFICP 220
RFICP 380
Discharge 陽極
RF 射頻
RF 射頻
RF 射頻
RF 射頻
2kw & 1.9 ± 0.2 MHz
RF 射頻
2kw & 1.8 MHz
離子束流
>100 mA
>350 mA
>600 mA
>800 mA
>1500 mA
離子動能
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
柵極直徑
4 cm Φ
10 cm Φ
14 cm Φ
20 cm Φ
30 cm Φ
離子束
聚焦, 平行, 散射
流量
3-10 sccm
5-30 sccm
5-30 sccm
10-40 sccm
15-50 sccm
通氣
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
長度
12.7 cm
23.5 cm
24.6 cm
30 cm
39 cm
直徑
13.5 cm
19.1 cm
24.6 cm
41 cm
59 cm
中和器
LFN 2000
上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源 RFICP 係列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長
RFICP 係列提供完整的套裝, 套裝包含離子源, 電子供應器, 中和器, 電源控制等
RFICP 係列離子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性光透射,均勻性,附著力等
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
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