國內某大學採用雙 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源分別濺射沉積鈮和錫, 再經過高溫退火後獲得 Nb3Sn 超導薄膜. 用這種方法所獲得的超導薄膜的原子組分的調整比較方便,對於 Nb3Sn 的研究較為有利. 實驗測量了樣品的超導參數和晶格參數.
伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術參數:
型號
RFICP140
Discharge
RFICP 射頻
離子束流
>600 mA
離子動能
100-1200 V
柵極直徑
14 cm Φ
離子束
聚焦, 平行, 散射
流量
5-30 sccm
通氣
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力
< 0.5m Torr
長度
24.6 cm
直徑
24.6 cm
中和器
LFN 2000
Nb3Sn 超導薄膜樣品的實驗研究是在 Al2O3(Sapphire) 上進行的, 採用鈮濺射源和錫濺射源交替對樣品進行濺射沉積,其中鈮濺射源在上部, 錫濺射源在下部, 因為錫的熔點低. 退火採用電爐絲.
濺射沉積的過程是, 首先在基片上濺射沉積一層鈮附著膜, 然後以固定速度旋轉樣品固定板,使得樣品交替面對鈮濺射源和錫濺射源, 形成多層膜結構, 後再濺射沉積一層鈮覆蓋膜.
KRI 離子源的功能實現了的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.
KRI 離子源是領域公認的者, 已獲得許多專利. KRI 離子源已應用於許多已成為行業標準的過程中.
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