KRi 射頻離子源 RFICP 40
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射頻離子源 RFICP 係列尺寸小, 低成本離子源. 適用於集成在小型的真空腔體內. 離子源 RFICP 40 設計採用創新的柵極技術用於研發和開發應用. 離子源 RFICP 40 無需電離燈絲設計, 適用於通氣氣體是活性氣體時的工業應用. 標準配置下 RFICP 40 離子能量範圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.
射頻離子源 RFICP 40 特性:
1. 離子源放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術提供高密度離子, 工藝時間更長.
2. 離子源結構模塊化設計, 使用更簡單; 基座可調節, 優化蝕刻率和均勻性.
3. 提供聚焦, 發散, 平行的離子束
4. 離子源自動調節技術保障柵極的使用壽命和可重復的工藝運行
5. 柵極材質鉬和石墨,堅固
6. 離子源中和器 Neutralizer, 測量和控制電子發射,確保電荷中性
KRI 射頻離子源 RFICP 40 技術參數:
型號
RFICP 40
Discharge 陽極
RF 射頻
離子束流
>100 mA
離子動能
100-1200 V
柵極直徑
4 cm Φ
離子束
聚焦, 平行, 散射
流量
3-10 sccm
通氣
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力
< 0.5m Torr
長度
12.7 cm
直徑
13.5 cm
中和器
LFN 2000
KRi 射頻離子源典型應用：
預清洗 PC
表面改性
輔助鍍膜 (光學鍍膜 ) IBAD
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
KRi 射頻離子源 RFICP 40 客戶案例：
安裝於 e-beam 電子束蒸發係統, 進行 IBAD 輔助鍍膜 (玻璃上鍍反射涂層).
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產寬束離子源, 根據設計原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.
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