1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產寬束離子源, 根據設計原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 美國 KRi 離子源適用於各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝, 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.
KRi 離子源原子水平上在材料表面沉積薄膜
KRi 離子源離子槍係列產品融合一係列等離子技術, 主要分為以下幾類：
無柵式端部霍爾離子源 eh
霍爾離子源 eH 係列緊湊設計, 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等級的細微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業, 半導體應用. 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設計提高吞吐量和覆蓋沉積區. 整體易操作, 易維護. 霍爾離子源 eH 提供一套完整的方案包含離子源, 電子中和器, 電源供應器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各類真空設備中, 例如鍍膜機, load lock, 濺射係統, 卷繞鍍膜機等.
霍爾離子源主要型號
型號
eH400
eH1000
eH2000
eH3000
eH Linear
中和器
F or HC
F or HC
F or HC
F or HC
F
陽極電壓
50-300 V
50-300 V
50-300 V
50-250 V
50-300 V
離子束流
5A
10A
10A
20A
根據實際應用
散射角度
>45
>45
>45
>45
>45
氣體流量
2-25 sccm
2-50 sccm
2-75 sccm
5-100 sccm
根據實際應用
本體高度
3.0“
4.0“
4.0“
6.0“
根據實際應用
直徑
3.7“
5.7“
5.7“
9.7“
根據實際應用
水冷
可選
可選
是
可選
根據實際應用
F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current
有柵極射頻感應耦合等離子體離子源 RFICP
美國 KRi 射頻離子源 RFICP 係列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 射頻源 RFICP 係列提供完整的係列, 包含離子源本體, 電子供應器, 中和器, 自動控制器等. 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.
射頻離子源 RFICP 主要型號
型號
RFICP 40
RFICP 100
RFICP 140
RFICP 220
RFICP 380
Discharge 陽極
RF 射頻
RF 射頻
RF 射頻
RF 射頻
RF 射頻
離子束流
>100 mA
>350 mA
>600 mA
>800 mA
>1500 mA
離子動能
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
柵極直徑
4 cm Φ
10 cm Φ
14 cm Φ
20 cm Φ
30 cm Φ
離子束
聚焦, 平行, 散射
流量
3-10 sccm
5-30 sccm
5-30 sccm
10-40 sccm
15-50 sccm
通氣
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
長度
12.7 cm
23.5 cm
24.6 cm
30 cm
39 cm
直徑
13.5 cm
19.1 cm
24.6 cm
41 cm
59 cm
中和器
LFN 2000
有柵極離子源 KDC
美國原裝進口考夫曼離子源 KDC 係列, 加熱燈絲產生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 增強設計輸出高質量, 穩定的電子流.
美國 KRI 考夫曼公司新升級 Gridded KDC 係列離子源, 新的特性包含自對準離子光學和開關式電源控制. 考夫曼離子源 KDC 係列包含多種不同尺寸的離子源滿足各類應用. 考夫曼離子源 KDC 提供一套完整的方案包含考夫曼離子源, 電子中和器, 電源供應器等等可以直接整合在各類真空設備中, 例如實驗室小型研發, 鍍膜機, load lock, 磁控濺射係統, 卷繞鍍膜機和線性鍍膜.
型號
KDC 10
KDC 40
KDC 75
KDC 100
KDC 160
Discharge 陽極
DC 電流
DC 電流
DC 電流
DC 電流
DC 電流
離子束流
>10 mA
>100 mA
>250 mA
>400 mA
>650 mA
離子動能
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
柵極直徑
1 cm Φ
4 cm Φ
7.5 cm Φ
12 cm Φ
16 cm Φ
離子束
聚焦, 平行, 散射
流量
1-5 sccm
2-10 sccm
2-15 sccm
2-20 sccm
2-30 sccm
通氣
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
長度
11.5 cm
17.1 cm
20.1 cm
23.5 cm
25.2 cm
直徑
4 cm
9 cm
14 cm
19.4 cm
23.2 cm
中和器
燈絲
電源與控制器
可操作不同種類的離子, 等離子以及電子源. 這些產品能夠為等離子流程中的動荷作用輸出平穩, 連續的電源.
電子源與離子源離子槍中和器
這些電子源低能量, 高電流源. 它們一般應用於中和劑或陰極材料, 以便控制離子源與等離子源的產量.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用於離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
若您需要進一步的了解 KRi 霍爾離子源, 請參考以下聯絡方式
上海伯東: 羅小姐 臺灣伯東: 王小姐
T: +86-21-5046-3511 ext 108 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1322 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076( 微信同號 ) M: +886-975-571-910
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
上海伯東版權所有, 翻拷必究！