氣相二氧化硅，化學氣相沉積（CVD）法，又稱熱解法、幹法或燃燒法。其原料一般為silvhuagui、氧氣（或空氣）和氫氣，高溫下反應而成。反應式為：SiCl4+ 2H2+ O2—>SiO2+4HCl。空氣和氫氣分別經過加壓、分離、冷卻脫水、硅膠幹燥、除塵過濾後送入合成水解爐。將silvhuagui原料送至精餾塔精餾後，在蒸發器中加熱蒸發，並以幹燥、過濾後的空氣為載體，送至合成水解爐。silvhuagui在高溫下氣化（火焰溫度1000~1800℃）後，與量的氫和氧（或空氣）在1800℃左右的高溫下進行氣相水解；此時生成的氣相二氧化硅顆粒極細，與氣體形成氣溶膠，不易捕集，故使其先在聚集器中聚集成較大顆粒，然後經旋風分離器收集，再送入脫酸爐，用含氮空氣吹洗氣相二氧化硅至PH值為4∼6即為成品。主要用於鋁材表面圖層的防火防腐效果。