該設備用於氮化鎵（GAN）芯片生產工藝過程中的真空退火、合金、氧化、擴散等工藝。該係統具有溫度控制係統和真空壓力控制係統。
主要參數：
工作溫度範圍： 600-1280 度。
使用溫度：1200 度。
每爐可處理 25 片。標準晶圓舟 25 片。
爐管有效口徑：滿足 6 寸片，可向下兼容 4、2 寸。
升溫功率：18KVA/每管 。
電源：三相五線制： 380V 三相五線。
具有斷偶、超溫報警以及二次保護功能。